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EG1125	文件：771.45 Kbytes Page：11 Pages	Pseudo-resonance constant voltage switch	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微电子屹晶微电子有限公司	EGMICRO
EGB1125FFG	文件：975.8 Kbytes Page：45 Pages	MouldedCaseCircuitBreakers16-2500AmperesforIEC60947-2Applications	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
EGH1125FFG	文件：975.8 Kbytes Page：45 Pages	MouldedCaseCircuitBreakers16-2500AmperesforIEC60947-2Applications	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
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ENA1125	文件：69.03 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconCompositeTransistorHigh-FrequencyLow-NoiseAmplifier,DifferentialAmplifierApplications High-FrequencyLow-NoiseAmplifier,DifferentialAmplifierApplications Features •Compositetypewith2transistorscontainedintheMCPpackagecurrentlyinuse,improvingthemountingefficiencygreatly. •TheFH102Aisformedwithtwochips,beingequivalenttothe2SC5226A,placedinonep	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
HPB1125	文件：76.16 Kbytes Page：2 Pages	Plinthe	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HPB1125	文件：67.47 Kbytes Page：1 Pages	PAINTEDTEXTUREDBLACK	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
IPP-1125	文件：70.3 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINE4WAY	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
ISF1125	文件：304.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=34mΩ(max)@VGS=10V ·Fast-recoverybodydiode APPLICATIONS ·DC-DCcoverters ·ACandDCmotorcontrol ·Batterychargers ·Uninterruptedpowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K1125BA	文件：369.94 Kbytes Page：2 Pages	14PINdip5.0voltclockoscillator	MTRONPTI mtronpti	MTRONPTI

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深圳市威雅利发展有限公司	EG1151	EGmicro/屹晶微	21+	QFN32	1350	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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