EG1120

EG1120高性能、低成本离线式 PWM 控制开关; ·默认高精度5V输出 \n ·集成500V高压 MOSFET\n ·高压启动电路\n ·超低系统成本\n ·支持降压和升降压电路\n ·开关式峰值电流模式控制\n ·待机功率小于50mW\n ·集成 31KHz 带抖频功能振荡器\n ·内置软启动\n ·超低 VDD 工作电流\n ·内置保护保护功能：\n\t\t\t   过载保护（OLP）\n\t\t\t   过热保护(OTP)\n\t\t\t   逐周期电流限制(OCP)\n\t\t\t   前沿消隐(LEB) VDD 欠压保护\n ·封装 SOT23-3L;

  EG1120 是一款非隔离型、高集成度且低成本的 PWM 功率开关，适用于降压型和升降压型电路。\n  EG1120 采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有 500V 高压 MOSFET 和采用开关式峰值电流模式控制 的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的 5V 默认输出。在芯片内部，PWM 频率固定为 31kHz 且 带有抖频功能。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于 50mW 的待机功耗。\n  EG1120 内置有完备的保护功能： VDD 欠压保护、逐周期电流限制、过热保护、过载保护和短路保护等。

EG1120

HIgh-Performance ExclusIon PWM Control Switch

EG1120-000

Raychem Application Tooling

ENA1120A

RFTransistor4V,30mA,fT=12.5GHz,NPNSingleSSFP

Features •Low-noise:NF=1.5dBtyp(f=2GHz) •Highcut-offfrequency:fT=10GHztyp(VCE=1V) :fT=12.5GHztyp(VCE=3V) •Low-voltageoperation •Highgain:⏐S21e⏐2=9.5dBtyp(f=2GHz) •Ultrasmall,slimflat-leadpackage(1.4mm×0.8mm×0.6mm) •Halogenf

ENA1120A

UHFtoS-BandLow-NoiseAmplifier,OSCApplications

EPR1120

ISDNUInterfaceTransformers