EFC4K110NUZTDG 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
EFC4K110NUZTDG
产品分类：
芯片
生产厂商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
9000
产品封装：
NA
生产批号：
23/22+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-23 16:03:00

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原厂料号：EFC4K110NUZTDG品牌：onsemi

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EFC4K110NUZTDG是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列。制造商onsemi生产封装NA/10-SMD，无引线的EFC4K110NUZTDG晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

芯片型号：
EFC4K110NUZTDG
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
7 页
文件大小：
199.14 kb
资料说明：
MOSFET ??Power, Dual, N-Channel, for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 24 V, 2.95 m, 25 A

产品属性

类型
描述
产品编号：
EFC4K110NUZTDG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
FET 类型：
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能：
标准
漏源电压（Vdss）：
24V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
25A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
49nC @ 4.5V
功率 - 最大值：
2.5W
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-SMD，无引线
供应商器件封装：
10-WLCSP（3.2x2.1）
描述：
NCH 24V 25A WLCSP DUAL

供应商

企业：
深圳市华博特电子有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
代理商
手机：
13528743201
询价：
电话：
13528743201
地址：
深圳市福田区振中路与中航路交汇处新亚洲国利大厦1202

EFC4K110NUZTDG 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 ONSEMI/安森美半导体

EFC4K110NUZTDG

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