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EFA120D-SOT89中文资料PDF规格书

EFA120D-SOT89
厂商型号

EFA120D-SOT89

功能描述

Low Distortion GaAs Power FET

文件大小

29.62 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 List of Unclassifed Manufacturers
企业简称

ETC

中文名称

未分类制造商

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-17 20:00:00

EFA120D-SOT89规格书详情

[Excelics]

Features

• LOW COST SURFACE-MOUNT PLASTIC PACKAGE

• +28.0dBm TYPICAL OUTPUT POWER

• 14.0dB TYPICAL POWER GAIN AT 2GHz

• 0.7dB TYPICAL NOISE FIGURE AT 2GHz

• +42dBm TYPICAL OUTPUT 3rd ORDER INTERCEPT POINT AT 2GHz

• 0.5 X 2400 MICRON RECESSED “MUSHROOM” GATE

• Si3N4 PASSIVATION

• ADVANCED EPITAXIAL DOPING PROFILE PROVIDES HIGH POWER EFFICIENCY, LINEARITY AND RELIABILITY

Applications

• Analog and Digital Wireless System

• HPA

产品属性

  • 型号:

    EFA120D-SOT89

  • 功能描述:

    Low Distortion GaAs Power FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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