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EDZTE6130B	文件：495.65 Kbytes Page：6 Pages	Zener Diode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EDZTE6133B	文件：495.65 Kbytes Page：6 Pages	Zener Diode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EDZTE613.3B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 3.3V 150MW EMD2	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EDZTE613.6B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SC-79，SOD-523 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 3.6V 150MW EMD2	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EDZTE613.9B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-79，SOD-523 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 3.9V 150MW EMD2	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
613	文件：146.02 Kbytes Page：2 Pages	LowProfile	OSCILENT Oscilent Corporation	OSCILENT
A613ERU	文件：193.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,6WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
ADG613	文件：152.56 Kbytes Page：12 Pages	1pCChanrgeInjection,100pALeakage,CMOS-5V/5V/3VQuadSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG611/ADG612/ADG613aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesofferultralowchargeinjectionof1pCoverthefullinputsignalrangeandtypicalleakagecurrentsof10pAat25°C. Thedevicesarefullyspecifiedfor±	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG613YRU	文件：152.56 Kbytes Page：12 Pages	1pCChanrgeInjection,100pALeakage,CMOS-5V/5V/3VQuadSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG611/ADG612/ADG613aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesofferultralowchargeinjectionof1pCoverthefullinputsignalrangeandtypicalleakagecurrentsof10pAat25°C. Thedevicesarefullyspecifiedfor±	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS613	文件：421.26 Kbytes Page：12 Pages	짹150째/secYawRateGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS613BBGZ	文件：421.26 Kbytes Page：12 Pages	짹150째/secYawRateGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS613BBGZ-RL	文件：421.26 Kbytes Page：12 Pages	짹150째/secYawRateGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ATP613	文件：385.66 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP613	文件：493.5 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP613	文件：386.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP613-TL-H	文件：386.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD613	文件：127.4 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONEPIBASETRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD613	文件：121.23 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONEPIBASETRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BL-B613C	文件：203.01 Kbytes Page：2 Pages	BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES) BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
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产品属性

产品编号：
EDZTE6133B
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）
容差：
±3%
工作温度：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-79，SOD-523
供应商器件封装：
EMD2
描述：
DIODE ZENER 33V 150MW EMD2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EDZTE613供应商更新时间2024-6-1 14:26:00

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