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ISF1108	文件：347.75 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=171A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.9mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ·UninterruptiblePowerSupply ·HighSpeedPowerSwitching ·HardSwitchedAnd	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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ISF1108

文件：347.75 Kbytes

Page：2 Pages

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=171A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.9mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ·UninterruptiblePowerSupply ·HighSpeedPowerSwitching ·HardSwitchedAnd

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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详细参数

型号：
EDJ1108BFSE-AE-F
制造商：
ELPIDA
制造商全称：
Elpida Memory
功能描述：
1G bits DDR3 SDRAM

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更多EDJ1108BFSE-AE-F供应商更新时间2025-7-29 15:51:00

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