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MPS6514	文件：116.6 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORMPS6512Series(NPN)andMPS6516Series(PNP)typesaremoldedEpoxySiliconSmallSignalTransistorsdesignedforgeneral-purposeamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPS6514	文件：47.98 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNSmallSignalGeneralPurposeAmplfiers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MPS6514C	文件：52.62 Kbytes Page：1 Pages	NPNTRANSISTOR	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
NI6514	文件：151.72 Kbytes Page：6 Pages	Low-CostIndustrialDigitalI/O-30V,BankIsolated	NI National Instruments Inc.	NI
NIPCI-6514	文件：151.72 Kbytes Page：6 Pages	Low-CostIndustrialDigitalI/O-30V,BankIsolated	NI National Instruments Inc.	NI
NMC6514	文件：323.09 Kbytes Page：6 Pages	industrystandardpinout	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NX6514EH	文件：217.09 Kbytes Page：7 Pages	LASERDIODE1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEFOR1.25Gb/sFTTHP2PANDOC-48IR-2	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NX6514EH	文件：205.71 Kbytes Page：7 Pages	LASERDIODE1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEFOR1.25Gb/sFTTHP2PANDOC-48IR-2 DESCRIPTION TheNX6514EHisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES •OpticaloutputpowerPO=5.0mW •LowthresholdcurrentIth=10mA •Differentialefficiencyηd=0.35W/A •Wideoperatingtemperatu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6514EH-AZ	文件：904.41 Kbytes Page：6 Pages	1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODE	CEL California Eastern Labs	CEL

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产品属性

产品编号：
ECW-F6514JLB
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
ECW-F(L)
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
额定电压 - DC：
630V
介电材料：
聚丙烯（PP），金属化
工作温度：
-40°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
大小 / 尺寸：
1.102" 长 x 0.437" 宽（28.00mm x 11.10mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.878"（22.30mm）
端接：
PC 引脚
引线间距：
0.689"（17.50mm）
应用：
高频率，开关
描述：
CAP FILM 0.51UF 5% 630VDC RADIAL

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