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SZ4513	文件：28.81 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:2.7-200Volts PD:2Watts FEATURES: CompleteVoltageRange2.7to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ4513	文件：327.18 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES Features CompleteVoltageRange3.6to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SZ4513	文件：338.12 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODES FEATURES: CompleteVoltageRange3.6to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
TGA4513	文件：222.08 Kbytes Page：10 Pages	27-31GHz2WBalancedPowerAmplifier KeyFeatures •27-31GHzBandwidth •>32dBmP1dB •33dBmPsat •20dBNominalGain •IMR3is37dBc@18dBmSCL •14dBNominalReturnLoss •Bias:6V,840mA •0.25um3MIMMWpHEMTTechnology •ChipDimensions:2.8x2.2x0.1mm(0.110x0.087x0.004)in PrimaryApplications	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGA4513	文件：274.13 Kbytes Page：10 Pages	27to31GHz2WBalancedPowerAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGA4513-CP	文件：162.21 Kbytes Page：10 Pages	27-31GHz2WBalancedPowerAmplifier ProductDescription TheTriQuintTGA4513-CPisacompact2WattHighPowerAmplifierPackagedMMICforKa-bandapplications.Itprovides22dBnominalgainand12dBnominalreturnloss. TheTGA4513providesanominal33dBmofoutputpower.Itisaleadfreedevice. Thepartisideallysuited	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
THS4513	文件：1.97286 Mbytes Page：41 Pages	WIDEBAND,LOW-NOISE,LOW-DISTORTION,FULLY-DIFFERENTIALAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
THS4513	文件：1.97406 Mbytes Page：42 Pages	WIDEBAND,LOW-NOISE,LOW-DISTORTIONFULLY-DIFFERENTIALAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
THS4513	文件：1.84856 Mbytes Page：43 Pages	WIDEBAND,LOW-NOISE,LOW-DISTORTION,FULLY-DIFFERENTIALAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
THS4513	文件：4.04613 Mbytes Page：34 Pages	WIDEBAND,LOWNOISE,LOWDISTORTIONFULLYDIFFERENTIALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
ECW-F4513RHB
功能描述：
薄膜电容器 ECWFMet Polypropyle Film Cap Radial
RoHS：
否
制造商：
Cornell Dubilier
电介质：
Polyester
电容：
0.047 uF
容差：
10 %
电压额定值：
100 V
系列：
225P
工作温度范围：
- 55 C to + 85 C
端接类型：
Radial
引线间隔：
9.5 mm

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