ECS8966A中文资料MOSFET数据手册E-CMOS规格书
技术参数
- 制造商编号
：ECS8966A
- 生产厂家
：E-CMOS
- Configure
：Single
- MOSFET TyEC
：N
- V DS(V)
：80
- V GS(V)
：±25
- V th (V)
：2/3/4
- R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V
：10.5/13
- GS =4.5V
：-
- GS =2.5V
：-
- GS =1.8V
：-
- Ciss(pF)
：1810
- Coss (pF)
：252
- Crss(pF)
：100
- Qg (nC)=10V
：31.2
- Qg (nC)=4.5V
：-
- Qgs (nC)
：9
- Qgd (nC)
：9.2
- Rg W
：1.45
- EAS(mJ)
：180
- I D(A) Tc=25 ℃
：19
- I D(A) Tc=100 ℃
：12
- I D(A) TA=25 ℃
：-
- I D(A) TA=70 ℃
：-
- EC(W)Tc=25 ℃
：10.2
- EC(W)TA=25 ℃
：-
- EC(W)TA=70 ℃
：-
- ESDDiode
：X
- Schokkty Diode
：X
