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ECQ-E2333RJF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：径向类别：电容器薄膜电容器描述：CAP FILM 0.033UF 5% 250VDC RAD	Panasonic Electronic Components Panasonic Electronic Components	Panasonic Electronic Components
2333	文件：52.11 Kbytes Page：2 Pages	MicrominiatureReedRelays	RHOPOINT Rhopoint Instruments	RHOPOINT
ALN2333	文件：454.01 Kbytes Page：3 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ALN2333	文件：619.49 Kbytes Page：3 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ALN2333	文件：325.3 Kbytes Page：3 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
AM2333	文件：776.77 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET12VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheAM2333isavailableinSOT-23package. FEATURES UltraLowRDS(ON) ESDDiode.ProtectedGate AvailableinSOT-23package APPLICATIONS BatterySwitch HighSideLoadSwitch	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AN2333	文件：364.33 Kbytes Page：9 Pages	WhiteLEDpowersupplyforlargedisplaybacklight	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AS2333	文件：746.04 Kbytes Page：16 Pages	1.8V,MICROPOWERCMOSZERO-DRIFTOPERATIONALAMPLIFIERS Features •LowInputOffsetVoltage:8μV(typ) •ZeroDrift:0.02μV/°C(typ) •0.01Hzto10HzNoise:1.1μVPP •LowQuiescentCurrent:12μAperAmplifier •SupplyVoltage:1.8Vto5.5V •Rail-to-RailInputandOutput •Bandwidth350kHz •SlewRate0.12V/μs(typ) •MSOP-8,SO-8,andU-DFN30	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AS2333	文件：60.77 Kbytes Page：10 Pages	SecondarySideHousekeepingCircuit [ASTECSemiconductor] Description TheAS23xxisahousekeepingcircuitformonitoringtheoutputsofpowersupplies.Itdirectlysensesalltheoutputrailswithouttheneedforexternaldividersanddetectsundervoltageandovervoltage.Italsoprovidesanadditionalundervoltagecomparatorwhi	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AS2333D	文件：60.77 Kbytes Page：10 Pages	SecondarySideHousekeepingCircuit [ASTECSemiconductor] Description TheAS23xxisahousekeepingcircuitformonitoringtheoutputsofpowersupplies.Itdirectlysensesalltheoutputrailswithouttheneedforexternaldividersanddetectsundervoltageandovervoltage.Italsoprovidesanadditionalundervoltagecomparatorwhi	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AS2333N	文件：60.77 Kbytes Page：10 Pages	SecondarySideHousekeepingCircuit [ASTECSemiconductor] Description TheAS23xxisahousekeepingcircuitformonitoringtheoutputsofpowersupplies.Itdirectlysensesalltheoutputrailswithouttheneedforexternaldividersanddetectsundervoltageandovervoltage.Italsoprovidesanadditionalundervoltagecomparatorwhi	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AS2333Q	文件：416.74 Kbytes Page：2 Pages	Precision,ZeroDrift,DualOperationalAmplifierforHighAccuracyAutomotiveSignalConditioning Applications  Automotivesignalconditioning  Groundcurrentmeasurements  Transducersignalconditioning  Waterpumps  Airbags  Positionsensors  Brakesystems  Vehicleoccupantdetectionsensors	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BC2333	文件：414.97 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS APPLICATION DC/DCConverter LoadSwitchforPortableDevices BatterySwitch FEATURE TrenchFETPowerMOSFET ExcellentRDS(on)andLowGateCharge	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BL-B2333	文件：513.38 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES) STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-B2333	文件：459.97 Kbytes Page：6 Pages	STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES) STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES) Notes:1.AllDimensionsareinmillimeters(inches). 2.Toleranceis±0.25mm(.010²)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-B2333	文件：461.62 Kbytes Page：6 Pages	STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BP2333	文件：208.17 Kbytes Page：2 Pages	Non-isolatedBuckAPFCLEDDriver	BPSBright Power Semiconductor Co., Ltd 晶丰明源上海晶丰明源半导体股份有限公司	BPS
C2333	文件：167.94 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPowerTransistor DESCRIPTION The2SC2333isNPNsilicontriplediffusedtransistordesignedforswitchingregulator,DC-DCconverterandultrasonicapplianceapplications, FEATURES •Highspeedswitching. •Lowcollectorsaturationvoltage. •SpecifiedofreversebiasedSOAwithinductiveloads.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
CEN2333	文件：423.08 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=110mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant. RDS(ON)=150mW@VGS=-1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CJ2333	文件：1.05169 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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产品属性

产品编号：
ECQ-E2333RJF
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
ECQ-E(F)
包装：
散装
容差：
±5%
额定电压 - DC：
250V
介电材料：
聚酯，金属化
工作温度：
-40°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
大小 / 尺寸：
0.406" 长 x 0.177" 宽（10.30mm x 4.50mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.492"（12.50mm）
端接：
PC 引脚
引线间距：
0.295"（7.50mm）
应用：
通用
描述：
CAP FILM 0.033UF 5% 250VDC RAD

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