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GRF2106	文件：828.47 Kbytes Page：13 Pages	HighGain,LowCurrentLNATuningRange:0.1to4.2GHz	GUERRILLA Guerrilla RF, Inc.	GUERRILLA
HIP2106	文件：66.45 Kbytes Page：8 Pages	100V/1APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver 100V/1APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver TheHIP2106isahighfrequency,100VHalfBridgeN-ChannelMOSFETdriverIC,availablein8leadplasticSOIC.Thelow-sideandhigh-sidegatedriversareindependentlycontrolledandmatchedto8ns.Thisgivestheusermaximumflexibilit	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP2106A	文件：242.72 Kbytes Page：2 Pages	LowVoltageDriverforSynchronousRectification LowVoltageDriverforSynchronousRectification TheHIP2106AisahighfrequencyMOSFETdriveroptimizedtodrivetwoN-channelpowerMOSFETsinasynchronousbuckconvertertopology.Thisdriver,combinedwithRenesasmulti-phasebuckPWMcontrollers,formsacompletesingle-stagecore-voltage	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HIP2106A	文件：996.25 Kbytes Page：17 Pages	LowVoltageDriverforSynchronousRectification Features •Adaptiveshoot-throughprotection(HIP2106Aonly) •HIandLIinputs(HIP2105only) •0.4ΩON-resistanceand4Asinkcurrentcapability •Lowtri-statehold-offtime(20ns)(HIP2106Aonly) •Supports3.3Vand5VHI/LIorPWMinput •Power-OnReset(POR) •DualFlatNo-Lead(DFN)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HIP2106AIRZ	文件：996.25 Kbytes Page：17 Pages	LowVoltageDriverforSynchronousRectification Features •Adaptiveshoot-throughprotection(HIP2106Aonly) •HIandLIinputs(HIP2105only) •0.4ΩON-resistanceand4Asinkcurrentcapability •Lowtri-statehold-offtime(20ns)(HIP2106Aonly) •Supports3.3Vand5VHI/LIorPWMinput •Power-OnReset(POR) •DualFlatNo-Lead(DFN)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HIP2106AIRZ-T	文件：996.25 Kbytes Page：17 Pages	LowVoltageDriverforSynchronousRectification Features •Adaptiveshoot-throughprotection(HIP2106Aonly) •HIandLIinputs(HIP2105only) •0.4ΩON-resistanceand4Asinkcurrentcapability •Lowtri-statehold-offtime(20ns)(HIP2106Aonly) •Supports3.3Vand5VHI/LIorPWMinput •Power-OnReset(POR) •DualFlatNo-Lead(DFN)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HIP2106IB	文件：66.45 Kbytes Page：8 Pages	100V/1APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver 100V/1APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver TheHIP2106isahighfrequency,100VHalfBridgeN-ChannelMOSFETdriverIC,availablein8leadplasticSOIC.Thelow-sideandhigh-sidegatedriversareindependentlycontrolledandmatchedto8ns.Thisgivestheusermaximumflexibilit	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP2106IP	文件：66.45 Kbytes Page：8 Pages	100V/1APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver 100V/1APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver TheHIP2106isahighfrequency,100VHalfBridgeN-ChannelMOSFETdriverIC,availablein8leadplasticSOIC.Thelow-sideandhigh-sidegatedriversareindependentlycontrolledandmatchedto8ns.Thisgivestheusermaximumflexibilit	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HM2106	文件：723.99 Kbytes Page：10 Pages	ChipDataManualV1.0	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HO-NP-2106	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM

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产品属性

产品编号：
ECQ-E2106KFW
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
ECQ-E(F)
包装：
卷带（TR）
容差：
±10%
额定电压 - DC：
250V
介电材料：
聚酯，金属化
工作温度：
-40°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
大小 / 尺寸：
1.220" 长 x 0.626" 宽（31.00mm x 15.90mm）
高度 - 安装（最大值）：
1.213"（30.80mm）
端接：
PC 引脚
引线间距：
0.886"（22.50mm）
应用：
通用
描述：
CAP FILM 10UF 10% 250VDC RADIAL

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