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IR2103S	文件：119.08 Kbytes Page：12 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2103(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLS	IRF International Rectifier	IRF

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IR2103S

文件：119.08 Kbytes

Page：12 Pages

HALF-BRIDGEDRIVER

Description TheIR2103(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLS

IRF

International Rectifier

IRF

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产品属性

产品编号：
ECQ-E2103KBB
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
ECQ-E(B)
包装：
散装
容差：
±10%
额定电压 - DC：
250V
介电材料：
聚酯，金属化
工作温度：
-40°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
大小 / 尺寸：
0.311" 长 x 0.165" 宽（7.90mm x 4.20mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.476"（12.10mm）
端接：
PC 引脚
引线间距：
0.197"（5.00mm）
应用：
通用
描述：
CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD

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