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ECQ-E1185RKF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向；包装：散装类别：电容器薄膜电容器描述：CAP FILM 1.8UF 10% 100VDC RADIAL	PanasonicElectronicComponents Panasonic Electronic Components	PanasonicElectronicComponents
EG1185	文件：573.73 Kbytes Page：11 Pages	NonseIsmIcIzIngconstantcurrentcontrolchip	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微电子屹晶微电子有限公司	EGMICRO
ENA1185	文件：60.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications N-ChannelSiliconMOSFET Features •LowON-resistance •Built-ingateprotectionresistor •2.5Vdrive •BestsuitedforLiBcharginganddischargingswitch •Common-draintype •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ENA1185A	文件：406.59 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EVAL-ADM1185EBZ	文件：346.4 Kbytes Page：12 Pages	QuadVoltageMonitorandSequencerEvaluationKit	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FTC1185	文件：48.34 Kbytes Page：2 Pages	LowDropoutCMOSVoltageRegulators	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
ILA1185A	文件：187.3 Kbytes Page：4 Pages	TRIACPHASEANGLECONTROLLER	IKSEMICON IK Semicon Co., Ltd	IKSEMICON
ILA1185A	文件：141.27 Kbytes Page：3 Pages	TRIACPHASEANGLECONTROLLER	INTEGRAL Integral Corp.	INTEGRAL
ILA1185A	文件：125.09 Kbytes Page：4 Pages	TRIACPHASEANGLECONTROLLER	IKSEMICON IK Semicon Co., Ltd	IKSEMICON
ISF1185	文件：370.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=77mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·AutomaticTestEquipment ·High-SideSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
ECQ-E1185RKF
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
ECQ-E(F)
包装：
散装
容差：
±10%
额定电压 - DC：
100V
介电材料：
聚酯，金属化
工作温度：
-40°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
大小 / 尺寸：
0.728" 长 x 0.256" 宽（18.50mm x 6.50mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.764"（19.40mm）
端接：
PC 引脚
引线间距：
0.591"（15.00mm）
应用：
通用
描述：
CAP FILM 1.8UF 10% 100VDC RADIAL

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