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SDR1184RTX	文件：97.03 Kbytes Page：2 Pages	35Amp50-600Volt5nsecSTANDARDRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
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TSB1184	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184	文件：314.82 Kbytes Page：4 Pages	LowVcesatPNPTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
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产品属性

产品编号：
ECQ-E1184KF
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
ECQ-E(F)
包装：
带盒（TB）
容差：
±10%
额定电压 - DC：
100V
介电材料：
聚酯，金属化
工作温度：
-40°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
大小 / 尺寸：
0.406" 长 x 0.189" 宽（10.30mm x 4.80mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.350"（8.90mm）
端接：
PC 引脚
引线间距：
0.295"（7.50mm）
应用：
通用
描述：
CAP FILM 0.18UF 10% 100VDC RAD

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