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EM1106J	文件：815.49 Kbytes Page：10 Pages	600mAHighPSRRLowNoiseLDO	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EM1106V	文件：815.49 Kbytes Page：10 Pages	600mAHighPSRRLowNoiseLDO	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
ENA1106	文件：55.14 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorVHFHigh-frequencyAmplifierApplications VHFHigh-frequencyAmplifierApplications Features •Highcutofffrequency:fT=1.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=13dBtyp(f=0.4GHz) Applications •VHF,RF,MIXER,OSC,IFamplifier	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ENA1106A	文件：394.65 Kbytes Page：8 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorVHFHigh-frequencyAmplifierApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ENA1106A	文件：291.49 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor10V,70mA,fT=1.5GHz,NPNSingleCP RFTransistor10V,70mA,fT=1.5GHz,NPNSingleCP Features •Highcutofffrequency:fT=1.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=13dBtyp(f=0.4GHz) Applications •VHF,RF,MIXER,OSC,IFamplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EPR1106	文件：51.12 Kbytes Page：1 Pages	ISDNUInterfaceTransformers	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
ES-1106N-TVPE	文件：122.61 Kbytes Page：1 Pages	ES-1106N-TVPE	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
FM1106	文件：117.86 Kbytes Page：8 Pages	Nonvolatile3VDualStateSaver	RAMTRON Ramtron International Corporation	RAMTRON
FM1106	文件：1.95656 Mbytes Page：8 Pages	NonvolatileF-RAMMemoryModule(TWR-FRAM)	RAMTRON Ramtron International Corporation	RAMTRON
FM1106-GA	文件：121.72 Kbytes Page：8 Pages	Nonvolatile3VDualStateSaver	RAMTRON Ramtron International Corporation	RAMTRON

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产品属性

产品编号：
ECQ-E1106JF
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
ECQ-E(F)
包装：
盒
容差：
±5%
额定电压 - AC：
63V
额定电压 - DC：
100V
介电材料：
聚酯，金属化
工作温度：
-40°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
大小 / 尺寸：
1.024" 长 x 0.453" 宽（26.00mm x 11.50mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.886"（22.50mm）
端接：
PC 引脚
引线间距：
0.886"（22.50mm）
应用：
通用
描述：
CAP FILM 10UF 5% 100VDC RADIAL

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