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KA8601C	文件：280.32 Kbytes Page：10 Pages	SPEAKERPHONEWITHSPEECHNETWORK INTRODUCTION TheKA8601Cisamonolithicintegratedcircuitforuseinhighperformancespeakerphonesystem. TheKA860lCconsistsofspeakerphoneandspeechnetwork.Speakerphoneincludesattenuators,amplifiers,leveldetectors,attenuatorcontrol,hybridamplifiers,regulatorandAGCcircui	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
LMP8601	文件：533.22 Kbytes Page：22 Pages	60VCommonMode,BidirectionalPrecisionCurrentSensingAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMP8601	文件：1.93862 Mbytes Page：42 Pages	Current-SensingAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMP8601	文件：1.40368 Mbytes Page：29 Pages	LMP8601/LMP8601Q60VCommonMode,BidirectionalPrecisionCurrentSensingAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMP8601MA	文件：533.22 Kbytes Page：22 Pages	60VCommonMode,BidirectionalPrecisionCurrentSensingAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMP8601MA	文件：1.38979 Mbytes Page：33 Pages	Common-ModeBidirectionalPrecisionCurrent-SensingAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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LMP8601MASLASHNOPB	文件：1.40931 Mbytes Page：29 Pages	60-VCommon-ModeBidirectionalPrecisionCurrentSensingAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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详细参数

型号：
ECH8601M-C-TL-H
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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