ECF12N50数据手册E-CMOS中文资料规格书
技术参数
- 制造商编号
：ECF12N50
- 生产厂家
：E-CMOS
- Configuration
：Single
- MOSFETTyEC
：N
- V DS(V)
：500
- V GS(V)
：±30
- V th (V)
：3/4/5
- R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V
：630/750
- GS =4.5V
：-
- GS =2.5V
：-
- GS =1.8V
：-
- Ciss(pF)
：1720
- Coss (pF)
：113
- Crss(pF)
：10
- Qg (nC)=10V
：29.6
- Qg (nC)=4.5V
：-
- Qgs(nC)
：8.3
- Qgd (nC)
：9
- Rg W
：2.6
- EAS mJ)
：41
- I D(A) Tc=25 ℃
：12
- I D(A) Tc=100 ℃
：7.6
- I D(A) TA=25 ℃
：-
- I D(A) TA=70 ℃
：-
- EC(W)Tc=25 ℃
：39
- EC(W)TA=25 ℃
：-
- EC(W)TA=70 ℃
：-
- ESDDiode
：X
- Schokkty Diode
：X
