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909	文件：134.17 Kbytes Page：2 Pages	M12?륚PlasticPassiveI/OBox	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
909F	文件：65.72 Kbytes Page：2 Pages	PrecisionCoaxialTermination	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
AT-909	文件：81.63 Kbytes Page：3 Pages	StriplineMountingFixedAttenuators(DCto8GHz)	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
BB909A	文件：30.3 Kbytes Page：4 Pages	VHFvariablecapacitancediodes DESCRIPTION TheBB909A,BB909Barevariablecapacitancediodes,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinhermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)packages. FEATURES •Excellentlinearity •Matchedto2.5 •HermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)package •C28:2.9pF	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB909B	文件：30.3 Kbytes Page：4 Pages	VHFvariablecapacitancediodes DESCRIPTION TheBB909A,BB909Barevariablecapacitancediodes,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinhermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)packages. FEATURES •Excellentlinearity •Matchedto2.5 •HermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)package •C28:2.9pF	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD909	文件：143.24 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(15A,90W)	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
BD909	文件：97.27 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheBD909andBD911aresiliconEpitaxial-BaseNPNpowertransistorsmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD910andBD912respectively. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD909	文件：148.29 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •ComplementtotypeBD910BD912 APPLICATIONS •Intentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD909	文件：149.19 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
BD909	文件：179.88 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •ComplementtotypeBD910BD912 APPLICATIONS •Intentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD909	文件：127.96 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PowerLinearandSwitchingApplications	CDIL CDIL	CDIL
BD909	文件：103.49 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS SILICONPOWERTRANSISTORS TheBD909andDB911,aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinaTO-220 envelope.Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD909	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BD909	文件：132.76 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD909NPN	文件：127.96 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PowerLinearandSwitchingApplications	CDIL CDIL	CDIL
BF909	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF909	文件：148.94 Kbytes Page：11 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES •Sp	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF909	文件：320.32 Kbytes Page：12 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES •Sp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF909A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF909AR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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详细参数

型号：
ECD-GZER909
功能描述：
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT MLCCECD series High-Q Capacitors
RoHS：
否
制造商：
American Technical Ceramics(ATC)
电容：
10 pF
容差：
1 %
电压额定值：
250 V
温度系数/代码：
C0G(NP0) 外壳代码 -
in：
0505 外壳代码 -
mm：
1414
工作温度范围：
- 55 C to + 125 C
产品：
Low ESR MLCCs
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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