EC4H08C中文资料NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to X Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
EC4H08C |
| 参数属性 | EC4H08C 封装/外壳为4-UFDFN；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008 |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to X Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications |
| 封装外壳 | 4-UFDFN |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 22:59:00 |
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EC4H08C规格书详情
简介
EC4H08C属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的EC4H08C晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
EC4H08C-TL-H
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.5V
- 频率 - 跃迁：
24GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB @ 2GHz
- 增益：
17dB
- 功率 - 最大值：
50mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 5mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
15mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
4-UFDFN
- 供应商器件封装：
4-ECSP1008
- 描述：
RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
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