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EC2C01	文件：725.43 Kbytes Page：1 Pages	5 TO 6 WATT DC-DC CONVERTERS	RSG RSG Electronic Components GmbH
EC2C01C	文件：20.09 Kbytes Page：3 Pages	VCXO & VHF Band VCO Applications Varactor Diode SiliconDiffused-JunctionType Features •Highcapacitanceratio.CR(C1.0V/C4.0V)=5.0typ •Ultrasmall-sizedpackage(1008),slimpackage (0.6mm),leadlesspackage.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
HN2C01FE	文件：190.29 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●Smallpackage(dualtype) ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●HighhFE:hFE=120to400 ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/(IC=2mA)=0.95(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
HN2C01FU	文件：231.02 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●Smallpackage(dualtype) ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●HighhFE:hFE=120~400 ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/(IC=2mA)=0.95(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
HN2C01FU	文件：156.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●Smallpackage(dualtype) ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●HighhFE:hFE=120~400 ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/(IC=2mA)=0.95(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
MMDF2C01HD	文件：372.12 Kbytes Page：12 Pages	COMPLEMENTARYDUALTMOSPOWERFET2.0AMPERES12VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts ComplementaryTMOSFieldEffectTransistors MiniMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityHDTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.The	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MMDF2C01HD	文件：349.09 Kbytes Page：16 Pages	ComplementarySO??,DualPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

型号：
EC2C01
功能描述：
DC/DC转换器 5-6W 5VDC 5VDC 1A
RoHS：
否
制造商：
Murata
输入电压范围：
3.6 V to 5.5 V
输出端数量：
1 输出电压（通道
1）：
3.3 V 输出电流（通道
1）：
600 mA 输出电压（通道
2）：
输出电流（通道
安装风格：
SMD/SMT

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