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厂商型号

EC2612-99FSLASH00

功能描述

40GHz Super Low Noise PHEMT

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111.13 Kbytes

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8

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UMS

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更新时间

2025-11-1 23:00:00

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EC2612-99FSLASH00规格书详情

描述 Description

The EC2612 is based on a 0.15µm gate pseudomorphic high electron mobility transistor (0.15µm PHEMT) technology. Gate width is 120µm and the 0.15µm T-shaped aluminium gate features low resistance and excellent reliability. The device shows a very high transconductance which leads to very high frequency and low noise performances.

Main Features

0.8dB minimum noise figure @ 18GHz

1.5dB minimum noise figure @ 40GHz

12dB associated gain @ 18GHz

9.5dB associated gain @ 40GHz

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