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ADR381ART	文件：246.59 Kbytes Page：16 Pages	PrecisionLowDrift2.048V/2.500VSOT-23VoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR380andADR381areprecision2.048Vand2.500Vbandgapvoltagereferencesfeaturinghighaccuracy,highstability,andlow-powerconsumptioninatinyfootprint.Patentedtemperaturedriftcurvaturecorrectiontechniquesminimizenonlinearityofthevoltagechangewi	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR381ART-REEL	文件：316.08 Kbytes Page：12 Pages	PrecisionLow-Drift2.048V/2.500VSOT-23VoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR380andADR381areprecision2.048Vand2.500Vbandgapvoltagereferencesfeaturinghighaccuracy,highstability,andlow-powerconsumptioninatinyfootprint.Patentedtemperaturedriftcurvaturecorrectiontechniquesminimizenonlinearityofthevoltagechangewi	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BA381	文件：242.43 Kbytes Page：3 Pages	MonolithicICs	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAS381	文件：50.47 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiodes Features •Integratedprotectionringagainststaticdischarge •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Lowforwardvoltagedrop •Verylowswitchingtime •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications •Genera	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS381	文件：151.54 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS381	文件：165.81 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS381	文件：125.76 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS381	文件：126.55 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS381	文件：90.68 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes FEATURES •Integratedprotectionringagainststatic discharge •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Lowforwardvoltagedrop •Verylowswitchingtime •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Generalpurposeandsw	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS381-TR	文件：126.55 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS381-TR	文件：125.76 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BUL381	文件：133.26 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltagecapability ·Veryhighswitchingspeed APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUL381	文件：94.02 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BUL381	文件：92.45 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltagecapability ·Veryhighswitchingspeed APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BUL381	文件：84.38 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltagecapability ·Veryhighswitchingspeed APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BUL381	文件：72.82 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheBUL381andBUL382manufacturedusinghighvoltageMultiepitaxialMesatechnologyfor cost-effectivehighperformance.TheyuseaHollowEmitterstructuretoenhanceswitching speeds.TheBULseriesisdesignedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepower	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL381D	文件：79.78 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheBUL381DismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandhighvoltagecapability.TheBULseriesisdesignedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BUL381D	文件：93.04 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltage,highspeed ·Integratedantiparallelcollector-emitterdiode APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BUL381D	文件：85.84 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltagecapability ·Veryhighswitchingspeed ·Integratedantiparallelcollector-emitterdiode APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BUL381D	文件：134.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltage,highspeed ·Integratedantiparallelcollector-emitterdiode APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
EB381D
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
Migrating from the MC68HC811E2 to the MC68HC11F1

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