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FCX619	文件：52.08 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPowerSwitchingTransistor Features ●2Wpowerdissipation. ●6Apeakpulsecurrent. ●ExcellentHFEcharacteristicsupto6amps. ●ExtremelylowsaturationvoltageE.g.13mvTyp. ●Extremelylowequivalenton-resistance. RCE(sat)87mΩat2.75A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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FMMT619	文件：308.81 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT3A 12APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsUpTo12A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.8mVTyp. ExtremelyLowEquivalentOnResistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT619	文件：1.06024 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistors ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=2A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=50V ●ComplementarytoFMMT720	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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