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EA2070B020_V01	文件：198.94 Kbytes Page：3 Pages	Magnetically shielded high-micro and high-loss characteristics can suppress noise in a wide frequency band for digital equipment. Features 1.Magneticallyshieldedhigh-microandhigh-loss characteristicscansuppressnoiseinawide frequencybandfordigitalequipment. 2.Thin(0.2mm-1.0mm)andflexiblesheetprovides easyhandlinginassemblyprocess. 3.Holdseasilyinequipmentwithadhesivetape 4.EA20xxserie	MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所	MURATA1
EA20QC04	文件：47.03 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES TO-251AACase DualDiodesCathodeCommon LowForwardVoltagedrop LowPowerLoss HighSurgeCapability 40Voltsthru100VoltsTypesAvailable	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
EA20QC04-F	文件：54 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES TO-252AACase,SurfaceMountDevice DualDiodesCathodeCommon LowForwardVoltagedrop LowPowerLoss HighSurgeCapability 40Voltsthru100VoltsTypesAvailable *Packagedin16mmTapeandReel	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
EA20QC06	文件：47.02 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES TO-251AACase DualDiodesCathodeCommon LowForwardVoltagedrop LowPowerLoss HighSurgeCapability 40Voltsthru100VoltsTypesAvailable	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
EA20QC06-F	文件：54.18 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES TO-252AACase,SurfaceMountDevice DualDiodesCathodeCommon LowForwardVoltagedrop LowPowerLoss HighSurgeCapability 40Voltsthru100VoltsTypesAvailable *Packagedin16mmTapeandReel	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
EA20QC09	文件：47.02 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES TO-251AACase DualDiodesCathodeCommon LowForwardVoltagedrop LowPowerLoss HighSurgeCapability 40Voltsthru100VoltsTypesAvailable	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
EA20QC09-F	文件：54.04 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES TO-252AACase,SurfaceMountDevice DualDiodesCathodeCommon LowForwardVoltagedrop LowPowerLoss HighSurgeCapability 40Voltsthru100VoltsTypesAvailable *Packagedin16mmTapeandReel	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
EA20QC10	文件：46.89 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES TO-251AACase DualDiodesCathodeCommon LowForwardVoltagedrop LowPowerLoss HighSurgeCapability 40Voltsthru100VoltsTypesAvailable	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
EA20QC10-F	文件：53.68 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES TO-252AACase,SurfaceMountDevice DualDiodesCathodeCommon LowForwardVoltagedrop LowPowerLoss HighSurgeCapability 40Voltsthru100VoltsTypesAvailable *Packagedin16mmTapeandReel	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
EA20QC10-F	文件：149.74 Kbytes Page：1 Pages	SBD SBD 2AAvg.100Volts	NI National Instruments Inc.	NI

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产品属性

产品编号：
EA2
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
系列：
EA2
包装：
托盘
频率：
5MHz ~ 400MHz
P1dB：
9dBm
增益：
13.5dB
噪声系数：
5.7dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
15V
电流 - 供电：
26mA
测试频率：
5MHz ~ 400MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-5
供应商器件封装：
TO-5
描述：
AMPLIFIER,ECONOMY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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北京逸博微科技有限公司	EA2				10	优势库存,全新原装	询价
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更多EA2供应商更新时间2025-7-25 16:30:00

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