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E50	文件：144.42 Kbytes Page：10 Pages	型号：SP6200EM5-5-0；Package：SOT-25；Micropower, 100mA and 200mA CMOS LDO Regulators DESCRIPTION TheSP6200andSP6201areCMOSLDOsdesignedtomeetabroadrangeofapplicationsthatrequireaccuracy,speedandeaseofuse.TheseLDOsofferextremelylowquiescentcurrentwhichonlyincreasesslightlyunderload,thusprovidingadvantagesingroundcurrentperformanceoverbipo	SipexSipex Corporation 西伯斯西伯斯公司
E50	文件：426.37 Kbytes Page：17 Pages	型号：SP6200EM5-5-0；Package：SOT-25；Micropower, 100mA and 200mA CMOS LDO Regulators	SipexSipex Corporation 西伯斯西伯斯公司
E50MD7	文件：1.21063 Mbytes Page：12 Pages	型号：IDWD50E120D7；Package：PG-TO247-2-STD-NA8.8；Soft and ultra-fast recovery 1200 V Emitter controlled 7 diode for both Industrial and Home Appliance applications Features •VRRM=1200V •IF=50A •1200Vemittercontrolledtechnology •MaximumjunctiontemperatureTvjmax=175°C •Lowforwardvoltage(VF) •Lowreverserecoverycharge •Ultrafastrecoverytimes •Softrecoverycharacteristics •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Humidity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
E50EE7	文件：1.33689 Mbytes Page：11 Pages	型号：IDWD50E65E7；Package：PG-TO247-2-STD-NA8.8；The Soft 650 V Emitter Controlled Si Diode 7 offers improved reliability for both Industrial and Home Appliance applications Features •VRRM=650V •IF=50A •Lowandtemperaturestableforwardvoltage(VF) •Verysoftandfastrecovery •Lowreverserecoverycurrent(Irrm) •Humidityrobustdesign •Cosmicrayruggedness •MaximumjunctiontemperatureTvjmax=175°C •QualifiedaccordingtoJEDECfortarge	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
E50N06	文件：807.77 Kbytes Page：10 Pages	型号：E50N06；Package：TO-263；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司
E50N06	文件：812.59 Kbytes Page：10 Pages	型号：E50N06；Package：TO-263；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司
E50N06	文件：808.72 Kbytes Page：10 Pages	型号：E50N06；Package：TO-263；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司
E50N06	文件：808.18 Kbytes Page：10 Pages	型号：E50N06；Package：TO-263；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司
E50N06	文件：808.45 Kbytes Page：10 Pages	型号：E50N06；Package：TO-263；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司
E50N06	文件：807.99 Kbytes Page：10 Pages	型号：E50N06；Package：TO-263；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

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