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G2012A	文件：1.00604 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG2012AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application ⚫Powerswitch ⚫DC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GAPM2012N	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
GBJ2012	文件：112.18 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhaseBridgeRectifiers	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
GBJ2012	文件：599.13 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
GLCR2012	文件：48.69 Kbytes Page：2 Pages	SMDInductors(Coils)ForPowerLine(Wound,MagneticShielded)	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
GLFR2012	文件：49.26 Kbytes Page：2 Pages	SMDInductors(Coils)ForPowerLine(Wound,MagneticShielded)	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
GRF2012	文件：747.08 Kbytes Page：11 Pages	BroadbandLinearGainBlock0.05to6.0GHz	GUERRILLA Guerrilla RF, Inc.	GUERRILLA
GRF2012W	文件：1.25344 Mbytes Page：17 Pages	BROADBANDLINEARGAINBLOCK0.05to6GHz FEATURES FlexibleBias InternallyMatchedto50Ω Process:GaAspHEMT Compact1.5x1.5mmDFN-6Package Reference:5V/90mA/0.9GHz Gain:14.8dB OIP3:40dBm OP1dB:23dBm EVBNoiseFigure:2.7dB Reference:8V/100mA/0.9GHz Gain:14.9dB OIP3:40dBm OP1dB:25dBm EVBN	GUERRILLA Guerrilla RF, Inc.	GUERRILLA
GRF2012-W	文件：849.02 Kbytes Page：14 Pages	BroadbandLinearGainBlock	GUERRILLA Guerrilla RF, Inc.	GUERRILLA

详细参数

型号：
E2012PG-CF
功能描述：
拨动开关 SPDT ON-NONE-ON GREEN CAP
RoHS：
否
制造商：
C&K Components
触点形式：
DPDT
开关功能：
ON - ON - ON
电流额定值：
电压额定值
AC：
20 V 电压额定值
DC：
20 V
功率额定值：
0.4 VA
端接类型：
V-Bracket
端子密封：
Epoxy
触点电镀：
Gold
照明：
Not Illuminated

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