选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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INTERSILDIP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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RenesasPDIP-8 |
800 |
21+ |
保证原装正品 深圳现货 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨PDIP-8 |
10000 |
23+ |
全新、原装 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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ELANTECDIP8 |
5356 |
18+/19+ |
只做原装!渠道追溯!可含税!实单价格可议! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INTERSILDIP8 |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INTERSIDIP-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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ELANTECDIP8 |
65800 |
专业光耦 |
光耦原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INTERSILDIP-8 |
880000 |
17+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INTERSILNA/ |
3950 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INTERSILDIP8 |
16 |
1123 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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ELANTECDIP8 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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XICORPDIP8 |
6000 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INTERSILDIP8 |
6523 |
2016+ |
只做进口原装现货!假一赔十! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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intersilDIP40 |
5600 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优惠 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INTERSILDIP8 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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DLZDIP8 |
354000 |
22+ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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进口DIP-8 |
9960 |
23+ |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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5000 |
22+ |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INTERSILDIP8 |
1214 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
EL7212CN采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
EL7212CN图片
EL7212CNZ价格
EL7212CNZ价格:¥15.0761品牌:Intersil
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更多EL7212CN功能描述:IC DVR HS DUAL MOSFET 8-PDIP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
EL7212CNZ功能描述:功率驱动器IC EL7212CNZ DL INVERT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
EL7212CN
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
低端
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 15V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.4V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
2A,2A
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
7.5ns,10ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
8-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商器件封装:
8-PDIP
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP