E-L6221AD数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列规格书PDF
| 厂商型号 |
E-L6221AD |
| 参数属性 | E-L6221AD 封装/外壳为20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC |
| 功能描述 | TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC |
| 封装外壳 | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 原厂标识 | ST |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | E-L6221AD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
E-L6221AD规格书详情
简介
E-L6221AD属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列。由制造生产的E-L6221AD晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
技术参数
更多- 制造商编号
：E-L6221AD
- 生产厂家
：ST
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：1.8A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：50V
- 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
：1.6V @ 1.8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）
：-
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
：-
- 功率 - 最大值
：1W
- 频率 - 跃迁
：-
- 工作温度
：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：20-SOIC（0.295\，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装
：20-SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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EL |
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23+ |
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3519 |
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ELANTEC |
24+ |
SSOP16 |
1 |
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SOP |
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