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ISF1120	文件：348.02 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=950V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=170mΩ(typ)@VGS=10V ·Fast-recoverybodydiode APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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ISF1120

文件：348.02 Kbytes

Page：2 Pages

N-ChannelPowerMOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=950V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=170mΩ(typ)@VGS=10V ·Fast-recoverybodydiode APPLICATIONS ·Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多DX1120供应商更新时间2025-6-2 14:08:00

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