DVR3V3W分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
DVR3V3W |
| 参数属性 | DVR3V3W 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 18V 1A SOT363 |
| 功能描述 | COMPLEX ARRAY FOR VOLTAGE REGULATORS |
| 封装外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 文件大小 |
146.46 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-30 17:57:00 |
| 人工找货 | DVR3V3W价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
DVR3V3W规格书详情
DVR3V3W属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的DVR3V3W晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
DVR3V3W-7
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN + 齐纳二极管(隔离式)
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 30mA,300mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
150 @ 100mA,1V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
SOT-363
- 描述:
TRANS NPN 18V 1A SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
25+23+ |
SOT363 |
39858 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
1113+ |
SOT363 |
3000 |
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DIODES/美台 |
24+ |
SOT363 |
880000 |
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DIODES/美台 |
2450+ |
SOT363 |
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Diodes |
24+ |
SOT-363 |
3000 |
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SOT-363 |
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DIODES/美台 |
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SOT363 |
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SOT363 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-363 |
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国产 |
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