DVR3V3W分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DVR3V3W |
| 参数属性 | DVR3V3W 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 18V 1A SOT363 |
| 功能描述 | COMPLEX ARRAY FOR VOLTAGE REGULATORS |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 文件大小 |
146.46 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-13 20:00:00 |
| 人工找货 | DVR3V3W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DVR3V3W规格书详情
DVR3V3W属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的DVR3V3W晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
DVR3V3W-7
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN + 齐纳二极管（隔离式）
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 30mA，300mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 100mA，1V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
SOT-363
- 描述：
TRANS NPN 18V 1A SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
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SOT-363 |
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DIODES/美台 |
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SOT363 |
880000 |
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TI |
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SOT-363 |
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DIODES |
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SOT363 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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专营TI |
24+ |
TSSOP |
30000 |
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DIODES/美台 |
1113+ |
SOT363 |
3000 |
询价 | |||
TI |
22+ |
QFN |
5000 |
只做原装,假一赔十 |
询价 |
