DTD713ZE分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DTD713ZE |
| 参数属性 | DTD713ZE 封装/外壳为SC-75，SOT-416；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 |
| 功能描述 | NPN 200mA 30V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
| 文件大小 |
303.39 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Rohm Semiconductor |
| 企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
| 中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-5 22:58:00 |
DTD713ZE规格书详情
DTD713ZE属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置。罗姆半导体集团制造生产的DTD713ZE晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。
产品属性
- 产品编号：
DTD713ZETL
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 100mA，2V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 2.5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-75，SOT-416
- 供应商器件封装：
EMT3
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
2016+ |
SOT523 |
2350 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ROHM(罗姆) |
23+ |
SOT416 |
6000 |
诚信服务，绝对原装原盘 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
15+ |
SOT523 |
1552 |
询价 | |||
ROHM |
21+ |
TR |
6000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ROHM |
21+ |
SOT343 |
100000 |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
询价 | ||
SOT523 |
23+ |
NA |
15659 |
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询价 | ||
ROHM |
2023+ |
N/A |
700000 |
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ROHM |
2226+ |
SOT343 |
26848 |
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询价 | ||
ROHM |
23+ |
VMT3 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
SOT523 |
265209 |
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询价 |
