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DTD114ES分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

DTD114ES
厂商型号

DTD114ES

参数属性

DTD114ES 封装/外壳为SC-72 成形引线;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

功能描述

Digital transistors (built-in resistors)
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

文件大小

60.89 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Rohm Semiconductor
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 22:58:00

DTD114ES规格书详情

Feature

1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit).

2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects.

3) Only the on / off conditions need to be set for operation, making the device design easy.

Applications

Inverter, Interface, Driver

DTD114ES属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。罗姆半导体集团制造生产的DTD114ES晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

  • 产品编号:

    DTD114ESTP

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    56 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    SC-72 成形引线

  • 供应商器件封装:

    SPT

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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