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DTD113EK分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

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厂商型号

DTD113EK

参数属性

DTD113EK 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

功能描述

NPN 500mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

丝印标识

F21

封装外壳

SOT-346 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

343.86 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2026-3-10 21:52:00

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DTD113EK规格书详情

DTD113EK属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由罗姆半导体集团制造生产的DTD113EK晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

VCC 50V

IC(MAX.) 500mA

R1 1kΩ

R2 1kΩ

特性 Features

1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 1kW.

2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see inner circuit).

3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of completely eliminating parasitic effects.

4) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy.

5) Complementary PNP Types :DTB113EK series

6) Lead Free/RoHS Compliant.

Application

Switching circuit, Inverter circuit, Interface circuit, Driver circuit

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DTD113EKT146

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    33 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SMT3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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