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DTC143ZEB	文件：77 Kbytes Page：3 Pages	100mA / 50V Digital transistors Features 1)Built-inbiasresistors.R1=4.7kΩ,R2=47kΩ. 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuit	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC143ZEB	文件：566.34 Kbytes Page：11 Pages	NPN 100mA 50V Digital Transistors Features 1)Built-inbiasresistors.R1=4.7kΩ,R2=47kΩ. 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuit	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC143ZEB	文件：566.34 Kbytes Page：11 Pages	NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1)Built-inbiasresistors.R1=4.7kΩ,R2=47kΩ. 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuit	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC143ZEB	文件：566.34 Kbytes Page：11 Pages	DTC143Z series Features 1)Built-inbiasresistors.R1=4.7kΩ,R2=47kΩ. 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuit	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC143ZEB	文件：3.77855 Mbytes Page：12 Pages	NPN 100mA 50V Digital Transistors Features 1)Built-inbiasresistors.R1=4.7kΩ,R2=47kΩ. 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuit	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC143ZEBTL	文件：566.34 Kbytes Page：11 Pages	NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1)Built-inbiasresistors.R1=4.7kΩ,R2=47kΩ. 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuit	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC143ZEBHZG	文件：1.14249 Mbytes Page：8 Pages	NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC143ZEBHZGTL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：SC-89，SOT-490 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC143ZEBMGTL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-89，SOT-490 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS NPN 100MA 50V SC-89	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC143ZEBTL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-89，SOT-490 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
143	文件：122.83 Kbytes Page：3 Pages	CustomCommercialModules	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH
143	文件：736.09 Kbytes Page：11 Pages	TemperatureSensorsLineGuide	HoneywellHoneywell Sensing and Productivity Solutions 霍尼韦尔霍尼韦尔国际	Honeywell
143B	文件：376.28 Kbytes Page：2 Pages	LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
143D	文件：376.28 Kbytes Page：2 Pages	LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
143H	文件：376.28 Kbytes Page：2 Pages	LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
143J	文件：376.28 Kbytes Page：2 Pages	LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
143L	文件：376.28 Kbytes Page：2 Pages	LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
143N	文件：376.28 Kbytes Page：2 Pages	LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
143R	文件：376.28 Kbytes Page：2 Pages	LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
AA143	文件：136.03 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUMDIODES GoldBondedGermaniumDiodesinDO-7Package	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
DTC143ZEB
功能描述：
TRANS DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列：
-
标准包装：
10,000
晶体管类型：
NPN - 预偏压电流 -
集电极(Ic)（最大）：
100mA 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
50V 电阻器 -
基极(R1)（欧）：
47k 电阻器 -
发射极(R2)（欧）：
47k 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
70 @ 5mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
300mV @ 500µA，10mA 电流 -
集电极截止（最大）：
- 频率 -
转换：
100MHz 功率 -
最大：
250mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商设备封装：
PG-SOT323-3
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000756242

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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