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DTC114YE数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

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厂商型号

DTC114YE

参数属性

DTC114YE 封装/外壳为SC-75,SOT-416;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

功能描述

NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

封装外壳

SC-75,SOT-416

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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DTC114YE规格书详情

特性 Features

• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

简介

DTC114YE属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由制造生产的DTC114YE晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DTC114YE

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :0.1

  • V(BR)CEO Min (V)

    :50

  • hFE Min

    :80

  • R1 (kΩ)

    :10

  • R2 (kΩ)

    :47

  • R1/R2 Typ

    :0.213

  • Vi(off) Max (V)

    :0.5

  • Vi(on) Min (V)

    :1.4

  • Package Type

    :SC-75-3

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