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DTC114T分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

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厂商型号

DTC114T

参数属性

DTC114T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

功能描述

NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

1.30745 Mbytes

页面数量

12

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-4 15:35:00

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DTC114T规格书详情

DTC114T属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由罗姆半导体集团制造生产的DTC114T晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

lFeatures

1) Built-In Biasing Resistor

2) Built-in bias resistors enable the configuration of

 an inverter circuit without connecting external

 input resistors (see inner circuit) .

3) Only the on/off conditions need to be set

 for operation, making the circuit design easy.

4) Complementary PNP Types: DTA114T series

lApplication

INVERTER, INTERFACE,DRIVER

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DTC114TCAT116

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SST3

  • 描述:

    NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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