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DTC114EE分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料

DTC114EE

厂商型号	DTC114EE
参数属性	DTC114EE 封装/外壳为SC-75，SOT-416；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
功能描述	Digital Transistors (BRT) TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
封装外壳	SC-75，SOT-416
文件大小	140.01 Kbytes
页面数量	12 页
生产厂商	ON Semiconductor
企业简称	ONSEMI【安森美半导体】
中文名称	安森美半导体公司官网
原厂标识	ONSEMI
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-5 23:01:00
人工找货	DTC114EE价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

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DTC114EE规格书详情

DTC114EE属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由安森美半导体公司制造生产的DTC114EE晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。

产品属性

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产品编号：
DTC114EET1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
35 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SC-75，SOT-416
描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75

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