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DTC114E中文资料NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)数据手册ROHM规格书

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厂商型号	DTC114E
参数属性	DTC114E 封装/外壳为SOT-923F；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
功能描述	NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
封装外壳	SOT-923F
制造商	ROHM Rohm
中文名称	罗姆罗姆半导体集团
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-26 13:01:00
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DTC114E规格书详情

简介

DTC114E属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由制造生产的DTC114E晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。

技术参数

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产品编号：
DTC114EBT2L
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-923F
供应商器件封装：
VMN3
描述：
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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