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DTC114中文资料NPN 100mA 50V Digital Transistors数据手册ROHM规格书

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厂商型号

DTC114

参数属性

DTC114 封装/外壳为SOT-923F;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

功能描述

NPN 100mA 50V Digital Transistors
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

封装外壳

SOT-923F

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-30 20:00:00

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DTC114规格书详情

特性 Features

1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10kW.
2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting
   external input resistors (see inner circuit).
3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative
   biasing of the input. They also have the advantage of completely eliminating parasitic effects.
4) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy.
5) Complementary PNP Types :DTA114E series
6) Complex transistors :EMH11 /UMH11N /IMH11A/EMG9 /UMG9N/ FMG9A (NPN type)
7) Lead Free/RoHS Compliant.Application
   Switching circuit, Inverter circuit, Interface circuit, Driver circuit

简介

DTC114属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由制造生产的DTC114晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

技术参数

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  • 产品编号:

    DTC114EBT2L

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-923F

  • 供应商器件封装:

    VMN3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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