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DTC113ZEB中文资料NPN 100mA 50V 数字晶体管(电阻内置型晶体管)数据手册ROHM规格书

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厂商型号

DTC113ZEB

参数属性

DTC113ZEB 封装/外壳为SC-89,SOT-490;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

功能描述

NPN 100mA 50V 数字晶体管(电阻内置型晶体管)
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

封装外壳

SC-89,SOT-490

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 17:45:00

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DTC113ZEB规格书详情

描述 Description

本产品是电阻内置型晶体管。由于内置了偏压用电阻,因此输入侧无需外接电阻即可构成逆变电路。

简介

DTC113ZEB属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由制造生产的DTC113ZEB晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DTC113ZEB

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :EMT3F

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Package Code

    :SOT-416FL

  • JEITA Package

    :SC-89

  • Number of terminal

    :3

  • Polarity

    :NPN

  • Supply voltage VCC 1[V]

    :50

  • Collector current Io (Ic) [A]

    :0.1

  • Input resistance R1 1 [kΩ]

    :1

  • Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]

    :10

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :0.15

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • GI hFE

    :33 or more

  • Output Current [A]

    :0.1

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :1.6x1.6 (t=0.85)

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