DTB123TK分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
DTB123TK |
参数属性 | DTB123TK 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 |
功能描述 | Digital transistors (built in resistor) |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT-346 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
44.89 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Rohm |
企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-29 23:01:00 |
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DTB123TK规格书详情
Features
1) Built-In Biasing Resistors, R1 = 2.2kΩ
2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit).
3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy.
4) Complementary NPN Types: DTD123TK
产品属性
- 产品编号:
DTB123TKT146
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 50mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SMT3
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
400 |
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询价 | ||
ROHM |
2016+ |
SOT23 |
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ROHM |
24+ |
SOT23 |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
SOT23 |
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ROHM |
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SOT-23 |
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ROHM/罗姆 |
2223+ |
SOT-23 |
26800 |
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ROHM |
24+ |
SOT-23 |
3600 |
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ROHM |
21+ |
SMT3 |
100 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
00+ |
SOT23 |
1086 |
询价 | |||
ROHM |
21+ |
SOT-23 |
16570 |
原装现货假一赔十 |
询价 |