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DTB114GC中文资料-500mA/ -50V 数字晶体管(电阻内置型晶体管)数据手册ROHM规格书

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厂商型号

DTB114GC

参数属性

DTB114GC 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

功能描述

-500mA/ -50V 数字晶体管(电阻内置型晶体管)
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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DTB114GC规格书详情

描述 Description

DTB114GC是电阻内置型晶体管。

特性 Features

• Built-In Biasing Resistors, R = 10kΩ
• Complementary NPN Types: DTD114GC

简介

DTB114GC属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由制造生产的DTB114GC晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DTB114GC

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :SOT-23

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Package Code

    :SOT-23

  • Number of terminal

    :3

  • Polarity

    :PNP

  • Supply voltage VCC 1[V]

    :-50

  • Collector current Io (Ic) [A]

    :-0.5

  • Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]

    :10

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

    :-50

  • Collector current Io(Ic) [A]

    :-0.5

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :0.2

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :2.9x2.4 (t=1.2)

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