| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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ROHM/罗姆SOT23 |
33500 |
26+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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4年
留言
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ROHM/罗姆SOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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13年
留言
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ROHMNA |
9500 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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2年
留言
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ROHM |
18000 |
21+ |
SMT3 (SOT-346) (SC-59) |
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4年
留言
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ROHMN/A |
10000 |
24+ |
只做原装 |
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13年
留言
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ROHMSMD |
20000 |
25+ |
专做罗姆,一系列可以订货排单,只做原装正品假一罚十 |
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12年
留言
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ROHM(罗姆)NA |
4736 |
全新原装正品现货可开票 |
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10年
留言
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ROHMTO-92S |
2000 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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10年
留言
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ROHMTO-92S |
2750 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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ROHMTO-92S |
890000 |
26+ |
一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务 |
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19年
留言
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ROHMTO92S |
1005 |
04+ |
全新 发货1-2天 |
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8年
留言
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ROHMSOT |
8962 |
19+ |
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3年
留言
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ROHMSMT3 (SOT-346) (SC-59) |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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12年
留言
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ROHMsot23 |
10065 |
25+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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13年
留言
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ROHM/罗姆SMT3 |
30000 |
26+ |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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13年
留言
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ROHM/罗姆SOT-23 |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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13年
留言
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ROHMSOT23 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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ROHM/罗姆TO-92S |
10000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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8年
留言
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N/A |
64000 |
26+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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8年
留言
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ROHM/罗姆NA |
2860 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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DTB113图片
DTB113ZKT146价格
DTB113ZKT146价格:¥0.4013品牌:Rohm
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DTB113ZKT146资讯
DTB113EKT146
主营罗姆新到库存,
DTB113ZKT146中文资料Alldatasheet PDF
更多DTB113制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Digital transistors(built-in resistors)
DTB1132KT146制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Digital PNP transistor array,DTB113ZKT
DTB113E制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
DTB113EK_09制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:-500mA / -50V Digital transistors(with built-in resistors)
DTB113EKT146功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 DIGITAL PNP 50V 500MA SMD3 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DTB113EL功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP
DTB113EN功能描述:TRANSISTOR | TO-92
DTB113ES制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Digital transistors(built-in resistors)
DTB113ESTP功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP 50V 500MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DTB113EV功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP





















