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LDTA143ZM3T5G	文件：191.19 Kbytes Page：11 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LDTC143ZM3T5G	文件：1.46991 Mbytes Page：14 Pages	BiasResistorTransistors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LDTC143ZM3T5G	文件：180.04 Kbytes Page：10 Pages	BiasResistorTransistors NPNSiliconSurfaceMountTransistorsWithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkcons	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
NSVDTC143ZM3T5G	文件：110.08 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=4.7k,R2=47k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVDTC143ZM3T5G	文件：140.42 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
S-LDTC143ZM3T5G	文件：1.46991 Mbytes Page：14 Pages	BiasResistorTransistors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

产品属性

产品编号：
DTA143ZM3T5G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
SOT-723
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

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更多DTA143ZM3T5G供应商更新时间2025-5-24 23:01:00

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