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DTC143ZET1G	文件：149.14 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=4.7k,R2=47k DigitalTransistors(BRT)R1=4.7k,R2=47k NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamono	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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DTC143ZET1G	文件：140.42 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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LDTA143ZET1G	文件：1.45259 Mbytes Page：12 Pages	BiasResistorTransistorsPNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistors withMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamono	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

产品属性

产品编号：
DTA143ZET1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SC-75，SOT-416
描述：
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

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