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DTA123JE数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

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厂商型号

DTA123JE

参数属性

DTA123JE 封装/外壳为SC-75,SOT-416;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

功能描述

PNP 双极数字晶体管 (BRT)
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

封装外壳

SC-75,SOT-416

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:01:00

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DTA123JE规格书详情

描述 Description

This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

特性 Features

• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

简介

DTA123JE属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由制造生产的DTA123JE晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DTA123JE

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • IC Continuous (A)

    :0.1

  • V(BR)CEO Min (V)

    :50

  • hFE Min

    :80

  • R1 (kΩ)

    :2.2

  • R2 (kΩ)

    :47

  • R1/R2 Typ

    :0.047

  • Vi(off) Max (V)

    :0.5

  • Vi(on) Min (V)

    :1.1

  • Package Type

    :SC-75-3

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