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DTA123E分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

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厂商型号

DTA123E

参数属性

DTA123E 封装/外壳为SC-75,SOT-416;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

功能描述

PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

封装外壳

SC-75,SOT-416

文件大小

165.58 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 22:58:00

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DTA123E规格书详情

DTA123E属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由安森美半导体制造生产的DTA123E晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the TO–92 package which is designed for through hole applications.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DTA123EET1

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    8 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 5mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-75,SOT-416

  • 供应商器件封装:

    SC-75,SOT-416

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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