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DTC115EE	文件：125.42 Kbytes Page：10 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DTC115EE	文件：540.82 Kbytes Page：10 Pages	DTC115Eseries Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=100kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobesetforoperation,makingthecircuitdesigneasy. 4)Co	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC115EE	文件：540.82 Kbytes Page：10 Pages	NPN100mA50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC115EE	文件：136.5 Kbytes Page：10 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=100k,R2=100k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DTC115EE	文件：2.01735 Mbytes Page：13 Pages	NPN100mA50VDigitalTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC115EE	文件：719.6 Kbytes Page：10 Pages	DIGITALTRANSISTORS(BRT)NPNTRANSISTORSWITHMONOLITHICBIASRESISTORNETWORK DESCRIPTION Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedto replaceasingledeviceanditsexternalresistorbias network.TheBiasResistorTransistor(BRT) containsasingletransistorwithamonolithicbias networkconsistingoftworesistors;aseriesbase resistorandabaseemi	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
DTC115EEB	文件：186.53 Kbytes Page：3 Pages	100mA/50VDigitaltransistors Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=100kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobesetforoperation,makingthecircuitdesigneasy. 4)Co	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC115EEB	文件：1.39217 Mbytes Page：10 Pages	NPN100mA50VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors) Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=100kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobesetforoperation,makingthecircuitdesigneasy. 4)Co	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC115EEB	文件：540.82 Kbytes Page：10 Pages	DTC115Eseries Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=100kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobesetforoperation,makingthecircuitdesigneasy. 4)Co	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC115EEB	文件：2.01735 Mbytes Page：13 Pages	NPN100mA50VDigitalTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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产品属性

产品编号：
DTA115TETL
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 100µA，1mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
EMT3
描述：
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DTA115TETL供应商更新时间2025-5-15 19:41:00

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