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DTA115EEBTL中文资料Alldatasheet PDF

DTA115EEBTL功能描述:TRAN DIGITL PNP 50V 100MA EMT3F RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极(Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极(R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极(R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷(TR) 其它名称:SP000756242

产品属性

产品编号：
DTA115EEBTL
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
82 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
EMT3
描述：
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3