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DTA114T分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

DTA114T
厂商型号

DTA114T

参数属性

DTA114T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

功能描述

DTA/DTC SERIES

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

878.01 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Rohm
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-6 22:58:00

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晶体管资料

  • 型号:

    DTA114TC,TK(A)

  • 别名:

    DTA114T三极管、DTA114T晶体管、DTA114T晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    AN1A4Z,RN2011,UN4115,2SA1497,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.3

DTA114T规格书详情

Digital transistors (built-in resistors)

产品属性

  • 产品编号:

    DTA114TCAT116

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SST3

  • 描述:

    PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
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